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※ ChatGPTを利用し、要約された質問です(原文:定電流回路とハイサイドスイッチについて。)

定電流回路とハイサイドスイッチについて

2023/10/20 06:28

このQ&Aのポイント
  • 定電流回路とハイサイドスイッチについての質問です。
  • 特定の状況での電流の変化について困っています。
  • どのような原因が考えられるのか知りたいです。
※ 以下は、質問の原文です

定電流回路とハイサイドスイッチについて。

2019/12/10 11:37

こんにちは。
添付の図のような電子回路を考えています。
このままシミュレーションすると予想通りの動作をする(D1に流れる電流がR2にかかる電圧とR3の割り算で決まる)のですが、
スイッチM2のゲートにパルス電圧を印加(常にHigh = V2[V] で、ONしたいときだけ0Vに落とす)すると、電流がR2の抵抗値を変えても変わらなくなってしまい困っています。
原因としてはどのようなものが考えられるのでしょうか?

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質問者が選んだベストアンサー

ベストアンサー
2019/12/11 11:04
回答No.3

定電流回路は正常に動作しているがM2でスイッチングすると
定電流回路でなくなると言うことでしょうか。

その場合M1もパルス駆動することになります。
しかも、M2より高速になり得るので
その速度で正常に動作できなくなる事が考えられます。
まずは、M1がその速度に応答できる性能か確認してください。
その場合速度だけでは無くてゲートを駆動出来るだけの
電流を供給できているか
周辺素子も速度に対応できているかも合わせて確認してください。

それと余計なお世話ですが もう少し回路を整理できると思われます。
例えば、V1は廃止してV3と共通化 当然R1,R2の再設定が必要 とか
M2をやめてM1にパルス駆動も兼用とか
まぁ シミュレーションではあまり関係ないですけど・・・

補足

2019/12/12 14:02

ご回答ありがとうございます。
応答速度はデータシートを検索して確認してみます。
回路については確かにそうですね…整理できるところは整理してみます。

質問者

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その他の回答 (3件中 1~3件目)

2019/12/10 20:16
回答No.2

>スイッチM2のゲートにパルス電圧を印加(常にHigh = V2[V] で、ONしたいときだけ0Vに落とす)する
添付の回路図が若干不鮮明なので、確認させてください。

1) 上側のMOSFETは、Pチャネルであって、ゲートがGNDに接続され、ソースがV2によって一定の正電圧に固定されているようです。ONしたいときだけ0Vに落とすような回路接続にはみえませんが、実際にはどのような回路でシミュレーションしているのでしょうか?
V2を一定電圧の直流電圧源ではなく、パルス電圧源としているのでしょうか?

2) V2の電圧は、何Vでしょうか? M2をオンさせるために必要なVGSは何Vでしょうか?

3) 想定したとおりの定電流特性が得られるのは、M2のゲートにHigh = V2[V]を与えたときですか/0Vに落としたときですか? 文章から読み取れないように感じます。

補足

2019/12/11 10:11

回答させていただきます。まず、画像が不鮮明で申し訳ありません。

 上側のMOSFETはPチャネルです。ソースはV2で、DC です。
 添付した回路図は、正常に動作していると考えているときのもので、ゲートがGND で0VなのでM2は常にオン、このとき1オームのR3に流れる電流IdsはオペアンプのV(+)/R3で決まってくれます。
 しかし、ゲートに10kHz, パルス幅99usの矩形波電源を新しく置いたところ(つまり、矩形波の振幅が0Vに落ちた時電流が流れるようにしたい)IdsはV(+)/R3ではなくなってしまうということです。

 V2の電圧は、10Vでお願いします。
 
 わかりづらく申し訳ありませんが、お願いします。

質問者
2019/12/10 12:33
回答No.1

とりあえずは
.tranの解析時間タイムスケールを秒単位にしてみましょう。

お礼をおくりました

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