半導体のシリコンウエハのサイズについて

前の回答者さんと被ると思いますが、次のURLの情報を参考になさってください。
https://www.tel.co.jp/museum/magazine/material/150430_report04_03/

標準的なサイズは、次の情報を参考にしてください。
http://www.canosis.co.jp/pdf/si-wafer_std_SEMIvsJEITA.pdf#search=%27%E3%82%B7%E3%83%AA%E3%82%B3%E3%83%B3%E3%82%A6%E3%82%A7%E3%83%8F%E3%83%BC+%E6%A8%99%E6%BA%96%27


ウエハの大径化は、シリコンが牽引しているのは間違いありませんが、後続の材料系であるGaN、SiCなどにおいても大径化が進行していますので、情報収集なさったら宜しいかと思います。

すでにメモリーなどのラインでは300mmウェハになっていますよ
つぎは、いつ450mmにするかという段階です。

ウェハを大きくすれば１枚のウェハから取れるチップの数が増えるので
有利ですが、ラインや装置がその大きさに対応していないといけません
ウェハサイズをかえるとラインの装置を全部とりかえることになります。

最近は枚葉式といってウェハ１枚ずつ処理するプロセス装置が多いので
ウェハの直径によらず装置で処理する時間やコストは殆ど変わらず
ウェハ径が大きいほど半導体チップ１個あたりを安く製造できるますが
ウェハ径を大きくすると面内均一性などを確保するのが難しくなります。

ウェハの厚さは各ウェハ径ごとに規格化され決まっていますが
大きいウェハほど規格は厚くなっています。300mmなら０.775mm。
（大きくすると製造加工中に割れやすくなるため）
https://www.ites.co.jp/wafer/size.html
パワー用などの特殊用途でないかぎり、この厚さ用の製造装置で
加工製造することになるため統一された厚さになっています。

残念ながら、インゴットのサイズの単位が１桁違います...
×20mmから30mm　→　〇200mmから300mm

基本的なことはwiki（ウィキペディア）で記載されていますが、
これも見ないで質問されているのでしょうか？

ウェーハの径＆厚さは世界標準化されています。
逆にされていないと、加工するメーカーが困惑するだけと思いませんか？

あと、「径が大きくなる＝１枚当たりのチップの数が多く取れる」であり、
量産が出来る...これは少し違います。