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ハイサイドFETのゲートON電圧について
2023/10/19 23:32
- ハイサイドFETのゲートON電圧について調べています。電源電圧24VのフルNch mosfetモータードライバでは、nchmosfetのゲートON電圧が10Vですが、ハイサイドをオンにするにはゲートに34Vをかける必要があるという情報があります。
- ハイサイドFETをオンにするためには、ゲートに34Vをかける必要があると言われています。つまり、ゲート耐圧は最低34VのFETを使用する必要があるということです。
- ハイサイドにおいては、ゲート耐圧が電源電圧+ゲートON電圧の値になるという特性があります。つまり、電源電圧24Vの場合、ゲート耐圧は最低34Vとなります。このようなFETは存在するのか、調査しています。
ハイサイドFETのゲートON電圧について
2018/12/18 16:46
電源電圧24vのフルNch mosfetモータードライバにおいて、nchmosfetのゲートON電圧が10Vとした時、ハイサイドをオンにするにはゲートに34Vをかける必要があるというのはあっていますか？
その場合ゲート耐圧は最低34VのFETを使用する必要があるのでしょうか？また、そのようなFETは存在するのでしょうか？
もしくはハイサイドにおいては、ゲート耐圧が、電源電圧+ゲート耐圧といった夢のような状態になるのでしょうか？
回答 （4件中 1～4件目)
＞電源電圧に24Vを使用すると、ハイサイド側のゲートをONにするには34Vが必要になるわけですが、この場合、ゲート-ソース間耐圧が絶対最大定格が最低でも34Vの物を使用する必要がありますか？
ソース－ゲート間にかかる電圧は10Vなので、10Vに対して常識的なマージンを有する耐圧であれば問題ないと判断できます。
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＞電源電圧24vのフルNch mosfetモータードライバにおいて、nchmosfetのゲートON電圧が10Vとした時、ハイサイドをオンにするにはゲートに34Vをかける必要があるというのはあっていますか？
→ 24V電源のマイナス側を基準電位とすれば、その通りです。
＞その場合ゲート耐圧は最低34VのFETを使用する必要があるのでしょうか？また、そのようなFETは存在するのでしょうか？
→ ゲート耐圧は、ソースーゲート間にかかる電圧に対して考慮するものであり、ご質問の場合はソースーゲート間にかかる電圧は10Vであって、この電圧を基準に常識的なマージンを考えれば十分です。
補足
2018/12/18 20:59
ご回答ありがとうございます。
説明が足りていませんでした申し訳ございません。
長文になってしまい申し訳ありませんが、捕捉しますと。
現在、IR2302というゲートドライバを使用してフルブリッジモータードライバを作成しようとしています。最終的には電源電圧24Vのものを作成したいと考えています。
まず調査のためハーフブリッジを組み、電源電圧に7.2Vを使用して、ハイサイド、ローサイド両方のゲートへの出力を測定しますと、ローサイド側には7.2Vが、ハイサイド側にはブートストラップ回路があるため約14.4V出力されていました。
そこで、ON電圧が10VのMOSFETを使用したとして、電源電圧に24Vを使用すると、ハイサイド側のゲートをONにするには34Vが必要になるわけですが、この場合、ゲート-ソース間耐圧が絶対最大定格が最低でも34Vの物を使用する必要がありますか？
それともMOSFETのゲート-ソース間耐圧が30Vのものでも問題ないのでしょうか。
すでにご説明されていた場合、私の不勉強による不理解で申し訳ありませんが、よろしくお願いします。
読み間違いしていたようなので訂正です
＞その場合ゲート耐圧は最低34VのFETを使用する必要があるのでしょうか？
VGSSのことであれば、定格の１０Vしか必要無いはずですよね？
＞ハイサイドにおいては、ゲート耐圧が、電源電圧+ゲート耐圧といった夢のような状態になるのでしょうか？
VGSSのことであれば、ソース電極の電位に依存しますね。
補足
2018/12/18 21:00
ご回答ありがとうございます。
説明が足りていませんでした申し訳ございません。
長文になってしまい申し訳ありませんが、捕捉しますと。
現在、IR2302というゲートドライバを使用してフルブリッジモータードライバを作成しようとしています。最終的には電源電圧24Vのものを作成したいと考えています。
まず調査のためハーフブリッジを組み、電源電圧に7.2Vを使用して、ハイサイド、ローサイド両方のゲートへの出力を測定しますと、ローサイド側には7.2Vが、ハイサイド側にはブートストラップ回路があるため約14.4V出力されていました。
そこで、ON電圧が10VのMOSFETを使用したとして、電源電圧に24Vを使用すると、ハイサイド側のゲートをONにするには34Vが必要になるわけですが、この場合、ゲート-ソース間耐圧が絶対最大定格が最低でも34Vの物を使用する必要がありますか？
それともMOSFETのゲート-ソース間耐圧が30Vのものでも問題ないのでしょうか。
すでにご説明されていた場合、私の不勉強による不理解で申し訳ありませんが、よろしくお願いします。
＞ハイサイドをオンにするにはゲートに34Vをかける必要があるというのはあっていますか？
あっています。ONにはもっと低い電圧でなるだろうけど定格出すには必要。
＞その場合ゲート耐圧は最低34VのFETを使用する必要があるのでしょうか？
はい。マージン持って２倍以上のもの使うのが普通です。
＞そのようなFETは存在するのでしょうか？
なんぼでも存在します。
http://akizukidenshi.com/catalog/g/gI-08462/
＞ハイサイドにおいては、ゲート耐圧が、電源電圧+ゲート耐圧といった夢のような状態になるのでしょうか？
ゲート耐圧 ＞ 電源電圧+ゲート駆動電圧 になります
ゲート駆動電圧なんて１０V以下程度が多いから夢でもなんでもないですよ。
補足
2018/12/18 22:25
ご回答ありがとうございます。
確認なのですが、
ゲート-ソース間にかかる電圧が10Vというのは、電源電圧が24vで、オン電圧が10Vなら、
ハイサイドFETのソースの電位が24vのため、ゲートに34Vを入力した場合、34-24=10で、ゲートソース間に10Vしかかからないということであっていますでしょうか。