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※ ChatGPTを利用し、要約された質問です(原文:液晶用ノボラックフォトレジストの剥離残について…)

液晶用ノボラックフォトレジストの剥離残について

2023/10/19 08:22

このQ&Aのポイント
  • 液晶用ノボラックフォトレジストの剥離残とは、ITO膜上のMAMのフォトリソ~エッチング~レジスト剥離で発生する不具合現象です。
  • 剥離残が突如として発生する場合があり、フォトレジストの不溶化が原因である可能性が考えられます。
  • 剥離前のレジストパターンをSEM観察すると、レジストにクラック現象が見られることもあります。
※ 以下は、質問の原文です

液晶用ノボラックフォトレジストの剥離残について…

2014/09/27 13:23

液晶用ノボラックフォトレジストの剥離残について教えてください

当方、ITO膜上のMAM(Mo-Al-Moの積層薄膜)のフォトリソ~エッチング~レジスト剥離で困っています。
不具合現象ですが、MAMパターンエッジだけにフォトレジストが一部残ってしまいます。
フォトレジストが接触する薬品関係は以下のものです。
KOH現像液、純水、リン酸/硝酸/水のMAMエッチング液(反応により水素ガス発生)、グリコール系溶剤/トリエタノールアミン含有の剥離液となります。
又、エッチング前の処理としてUVオゾン処理があります。

剥離残が発生しない時もあるのですが、突如として発生する事があります。

考察では、フォトレジストの不溶化がおきていると見ていますが不溶化のメカニズムがいまいちわかりません。
又、剥離前のレジストパターンをSEM観察するとレジストにクラック現象が見られています。

どなたか、知見のある方がおりましたらお教え願います。

回答 (3件中 1~3件目)

2014/10/02 19:44
回答No.3

まあ、歩留まりを上げるには、オーバーエッチを含む剥離を工夫するしかないね。

選択比で、許容値が判らないかね。

お礼

2014/10/02 21:20

有難うございます。
再度オーバーエッチングと剥離の条件を見直してみます。

質問者

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質問する
2014/10/02 01:48
回答No.2

iPhoneなどのスマホ用液晶の加工でしょうか?
前工程のUVオゾン処理とエッチング条件が合ってない可能性があると思います。
例えば、前処理時間を短く又は長くしてみたり、強さを変えてみたりしてはどうでしょうか?
頻発しない場合、原因特定は難しいかもしれません

お礼

2014/10/02 21:17

御回答有難うございます。
確かにUVオゾン処理とエッチング条件の関係は確認したいと思います。
有難うございました。

質問者
2014/09/27 14:41
回答No.1

この内容の質問をされるということは大学の研究室のかたでしょうか?

まずはレジストメーカーに問い合わせましょう。
メーカーの不良情報に該当するものがあれば教えてくれます。
当然ながらメーカーの推奨でない条件で使用した場合は
判っていても教えてくれないこともありますが。

お礼

2014/09/27 15:17

有難うございました。
私は企業のエンジニアです。レジストメーカーは来社して頂ける事になっておりますが、なかなか教えて頂けない場合が多いです。

質問者

お礼をおくりました

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