このQ&Aは役に立ちましたか？
パワー半導体モジュール(シリコンゲル封止型)の使用高度について
2023/10/18 05:46
- パワー半導体モジュール(シリコンゲル封止型)の使用条件について調べました。
- カタログには標高の制限が記載されていないため、使用できる標高の上限について考えてみました。
- 高地で使用した場合に起こる問題についても調査しました。
半導体の使用高度について
2010/05/18 20:56
パワー半導体モジュール(シリコンゲル封止型)についての質問です。
一般的に半導体の使用条件として、カタログに標高いくらまでと記載がありませんが、いくらまで使用できると考えたら良いのでしょうか。
また、高地で使用した場合、何が起こるのでしょうか？
そのあたりの記載があるサイトがあればご教示ください。
回答 （3件中 1～3件目)
封止型だと作業時に空気等ガスの混入の可能性があり気圧の低下で発砲の可能性があり製造元に確認する必要があると思います。
このQ&Aは役に立ちましたか？
この質問は投稿から一年以上経過しています。
解決しない場合、新しい質問の投稿をおすすめします。
標高1000mまでと書いているところは何度か目にしたことはありますが
こういうところもありましたので紹介します。
http://www2.renesas.com/faq/ja/f_relia.html#0104__2
高地で使用した場合ですが
熱の問題はあります。沸点も下がりますので水冷の場合は要注意です。
お礼
2010/05/20 20:24
熱の問題は気が付きませんでした。
アドバイスありがとうございました。
電気機器の場合、一般には標高1000mまでと書いてあることが一般的と
思いますが、半導体部品については明示されることは少ないように思います。
標高が高くなると、気圧が下がって空気が薄くなるので対流による放熱が
悪化すること、気圧の低下によって放電開始電圧が低下する（＝絶縁性能の
低下）が主な現象と思います。
空気の放電開始電圧を心配する必要のない使用電圧が低い半導体であれば、
放熱のみを考慮すれば問題ないでしょう。温度上昇が所定値以内であれば
ＯＫと判断できると思います。
気体中の放電開始電圧は、一般にパッシェンの法則に従います。
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%91%E3%83%83%E3%82%B7%E3%82%A7%E3%83%B3%E3%81%AE%E6%B3%95%E5%89%87
常圧付近では、気圧が低くなれば、およそ気圧に比例して放電開始電圧が
低下します。
気圧がずっと下がって、高真空領域になると、放電開始電圧は上昇します。
規格等で決まっているのではなく、物理現象です。
お礼
2010/05/19 10:05
回答ありがとうございます。
絶縁性能の低下とありましたが、
気圧と絶縁距離の関係について、規格等で決まっているのでしょうか？
宜しくお願いします。
どうりで規格に記載がないわけですね。
パッシェンの法則について勉強してみます。
ありがとうございました。
お礼
2010/05/20 20:22
アドバイスありがとうございます。
早速、製造元に問い合わせてみます。