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スパッタリング法でSi膜を作製する際のターゲットとは
2023/10/18 00:51
- スパッタリング法を使用してSi膜を作製する際、ターゲットとしてどのようなものを使用すれば良いのでしょうか？
- 現在、4インチのターゲットがないため、3インチのウェハをターゲットとして使用していますが、膜中に銅が混入してしまい、Si膜ができません。
- 銅と銅の接着と銅とSiの接着はインジウムを使用していますが、銅が膜中に入らないようにするためにはどうしたら良いでしょうか？
スパッタリング法のターゲットについて
2010/10/13 16:53
現在、スパッタリング法を使用してSi膜を作製しようとしています。
使用している装置は４インチのターゲット用です。
しかし、4インチのSiターゲットがないので3インチのウェハ（t=0.5mm）をターゲットとして使用しています。
そのため、バッキングプレート（材料：銅）の上に3インチの銅の土台(t=5mm)をおき、その上にウェハをのせて製膜しています。
製膜した膜には、銅がかなり膜中に混入してしまい、Si膜ができません。
この膜中の銅はバッキングプレートの銅だと思うのですが、
銅が膜中にはいらないようにするにはどうしたらよいでしょうか？
ちなみに銅と銅の接着と銅とSiの接着はインジウムを使用しています。
接着の際インジウムは少量しか使用していません。
回答 （3件中 1～3件目)
たぶん「４インチのシリコンウェハ」を使った方が安上がりでしょう。
そうでなければ、普通に装置メーカーに相談されるのが宜しいかと。
書き込みの様子から実験用途の様に思えますが・・・
#2の方が仰るように「マグネトロンスパッタ」であるかどうかを
確認してください。と言うか通常はマグネトロンスパッタでしょうが・・・
パッキングプレートの裏に磁石が仕込んであると思います。
で、４インチの広い範囲をスパッタする様な磁場回路（磁石の配置）が
組んであるはずなのでこれを３インチ用に替える必要があります。
この磁石の配置や使う磁石の種類は装置メーカや成膜メーカーのノウハウ
なので、装置を見ないと簡単に替えられる構造かどうかは分かりかねます。
その上で#1の方が仰るようにアノードを「ターゲットの外周の銅を囲う」
ような形状で作成した方がよいでしょう。
改造費を含めて装置メーカとご相談された上で検討した方がよいでしょう。
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ついでに。ヒント。
マグネットを使っていますね？それが変えれたら大分変わるでしょう。
ターゲットを正面から見た場合に、2重丸の形でバッキングプレートが出ているのでしょう？
そりゃ無理です。
温度条件は知りませんが、耐熱性の高い絶縁物で覆い、且つ、
Siターゲットより低くするべきでしょう。
丸いターゲットの経験はありませんが、アノード棒（電極）って知っていますか？
そういったもので放電を制御する事も考えられます。
こういった技術は各社の機密なので、これ以上は書籍や大学の資料などで研究してください。
