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※ ChatGPTを利用し、要約された質問です（原文：MOSFETの容量特性について）
MOSFETとIGBTの容量特性と温度の関係
2023/10/16 02:19
このQ&Aのポイント
- MOSFETやIGBTのCoss、Ciss、Crssといった容量特性は、温度によって変化します。
- 一般的に、温度が上がるとMOSFETやIGBTの容量は大きくなります。
- この特性は、ダイオードの接合容量にも同様に見られます。
※ 以下は、質問の原文です
MOSFETの容量特性について
2008/09/20 09:35
こんにちはMaToKaです。
MOSFETやIGBTのCoss Ciss Crssの温度特性を教えてください。
温度が上がったら容量は大きくなるのでしょうか？
ﾀﾞｲｵｰﾄﾞの接合容量も同じような特性なのでしょうか？
すみませんがお願いします。
回答 （2件中 1～2件目)
2008/11/09 14:45
回答No.2
ご質問から時間が経過してしまいましたが，自分自身でも気になっていたので
実際に測ってみました。
手元にあったパワーMOSFET(2SK1114)を加熱装置に取り付けて，ゲート容量
（DS一括対G間）を無バイアスで測定しました。
結果は，１℃あたり０．０３％程度の正の温度係数でした。
（25℃で2477pだった容量が125℃では2550pFまで増加しました）
前の回答の参考URL中に記載されていたと思いますが，MOSFETのスイッチング
動作は温度によって影響をうけます。その原因のうち，容量の温度変化も
その一部に当たると思いますが，主要な原因ではないということが，今回の
測定結果からも示すことができると思います。
ダイオードの接合容量は，ＰＮジャンクションに逆バイアスをかけた状態
における空乏層の厚さと誘電率が容量を決めますので，MOSFETのシリコン
酸化膜の容量とは傾向が異なることと思います。
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この質問は投稿から一年以上経過しています。
解決しない場合、新しい質問の投稿をおすすめします。
2008/09/27 06:25
回答No.1
他の目的で検索中に，偶然に見つけましたのでご紹介します。
参考URLのNo.1018にご質問の内容に近いものが掲載されています。
