MOS構造についての質問

MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)構造について

違うカテゴリーで質問したのですが、もう一度質問させてもらいます。

ゲートが隣接してソースが形成されており、その電子濃度は2.0×10^19[cm^3]である。また、基板の濃度は1.0×10^15[cm^3]とする。

ソースの電子を酸化膜と基板の界面に誘起するために必要なゲート電圧[VG]（←Gは添字）を求めよ。但し、基板は接地されているものとして、以下の値を使用せよ。
Tox＝50[nm]、Nd＝2.0×10^19[cm^3]、Na＝1.0×10^15[cm^3]、KT/ｑ＝0.026[eV]

↑のような課題が出ています。このような問題を解く際、必要になる学問領域を教えてください。上の文章だけで、理解し、問題が解ける方は、解放も教えていただけるとありがたいです。
この問題には、図もあり、分かりにくいですが、下に作ってみました。
　
　　　　　　　　ゲート電圧　VG
　　　　　　　　　　　　　　|
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　　 |
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　　 | ゲート電極 |
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　　 |////ゲート酸化膜 50[nm]////|
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ソース　　　　　　　 |　
Nd＝2.0×10^19[cm^3] |
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p型Si基板
　　　　　　Na＝1.0×10^15[cm^3]
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　　　　　　　　　　　　　 |
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詳しい方、回答お願いします。答えとアドバイス、両方いただけるとありがたいです。